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造成U盘速度不同的那些因素(2)

时间:2014-07-23 12:55:44 作者:jiaoru 来源:万象系统之家 1. 扫描二维码随时看资讯 2. 请使用手机浏览器访问: https://m.xitongzhijia.net/xtjc/20140723/24339.html 手机查看 评论

  TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,TLC架构正式问世后,1个存储器储存单元可存放3位元,成本进一步大幅降低。在TLC成功推广的道路上,闪存大厂东芝与三星可是立下汗马功劳,使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

  造成U盘速度不同的那些因素

  SLC、MLC、TLC对比

  从上面的介绍中,我们看到SLC、MLC与TLC技术的优劣之处在哪,也可以得出这样一个结论:MLC是今后NAND Flash的发展趋势,就像CPU单核心、双核心、四核心一样,MLC技术通过每Cell存储更多的bit来实现容量上的成倍跨越,直至更先进的架构问世。SLC的成本伤不起,TLC则更有可能引起数据的安全隐患,所以选择MLC的优盘更靠谱。

  原因二:优盘主控影响很重要

  说完芯片的问题,接下来我们说说主控的原理。就目前市场上的优盘产品主控有很多种,最常见的就是银灿、群联、擎泰、慧荣、联盛、鑫创、安国与芯邦主控。每一个主控都有自己的优势与劣势。很多网友都对优盘量产有很大兴趣,而每个主控的量产工具也有所不同。这门学问太深了,笔者目前也没搞清楚(很抱歉),所以就不详细说了。

  银灿在2012年积极布局品牌系统厂市场以及大陆市场,同时针对新制程Flash推出新一代控制芯片IS903(双信道芯片),支持最新制程的21nm/20nm/19nm MLC型NAND Flash,以及 IS916EN(单信道芯片)支持最新制程的21nm/19nm TLC型的NAND Flash,让客户可以使用银灿提供的双信道芯片(IS903)开发中高阶高速产品,以及单信道芯片(IS916EN)开发低阶产品,来规划完整的产品线。现在很多极速USB3.0优盘选用银灿作为主控制器。

  威刚S107选用银灿主控

  造成U盘速度不同的那些因素

  群联主控

  造成U盘速度不同的那些因素

  东芝MX高速优盘用鑫创主控

  在所有主控中,群联PhISOn也应用很广泛。它的兼容性最好,量产成功率最高(99%),而且读写速度也几乎是最快的,群联主控的量产工具也是最多且最全面的。擎泰Skymedi与鑫创也是应用较为广泛的选择。

  从上述的分析中,我们可以了解到不同U盘为什么会出现不同速度的差别主要是取决于U盘主控与芯片这两个因素,用户要想拥有个高效能的U盘,在选购U盘时要着重注意U盘的主控与芯片。

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