编辑：jiayuan 2017-09-19 11:08:07 来源于：IT之家
9月19日消息 此前有报道称，Intel今天在北京召开了Intel尖端制造大会并首次公开展出了自家基于最新10nm工艺制程的晶圆！而据最新消息显示，Intel还在大会现场详细介绍了自家的10nm工艺制程，并与友商台积电和三星进行了对比。
Intel高级院士，制程架构总监Mark T.Bohr放出了Intel的10nm工艺制程与友商三星以及台积电的对比。可以看到Intel的10nm工艺制程在鳍片间距以及栅极间距均低于三星和天几点，而最小金属间距更是大幅领先于友商，从而在最终的逻辑晶体管密度参数上面，Intel的10nm工艺制程能够达到每平方毫米1亿晶体管，而台积电为4800万，三星为5160万，也就是说Intel的10nm工艺制程晶体管密度是台积电的2倍还多。
此外，Intel方面还表示，尽管友商的工艺制程在今年进入了10nm工艺制程，但是按照逻辑晶体管的实际面积计算的话，仅与Intel的14nm工艺制程相当。也就是说从逻辑晶体管来看，Intel实际领先友商达到了3年！那么，小伙伴们又如何看待此事呢？
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